钨铜热沉,钨铜封装,钨铜基板,电子封装片

和铄HOSOCP® 0-T 钨铜热沉封装片,封装基本采用和铄生产的HOSOPM®0-T 钨铜材料,其综合了金属钨和铜的优点,既具有钨的低膨胀特性,又具有铜的高导热特性,热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整钨铜的成分而加以改变。
钨铜热沉
我公司可根据客户的图纸定制加工铜钨热沉零件。 从原材料的生产到成品件的加工,我公司提供一站式的服务。详情请参考 钨铜热沉封装产品目录
和铄HOSOPM®0-T系列材料热沉用钨铜技术指标:

材料类型

含量(wt.%)

 密度(g/cm³)

 导热系数(W/m²K)

 热膨胀系数(10-6/K)

HOSOPM®075T

铜25,钨余量

14.7

200~230

 9.0~9.5

HOSOPM®080T

铜20,钨余量

15.5

190~210

 8.0~8.5

HOSOPM®085T

铜15,钨余量

16.4

180~200

7.0~7.5

HOSOPM®090T

铜10,钨余量

17.0

160~180

6.3~6.8

* 以上技术指标为参考值,并不能作为验收的标准。
HOSOPM0-T金相HOSOPM®0-T的材料优势:

不添加第三方金属元素活化烧结,高热导率。

通过调整配方可以极好的匹配砷化镓(GaAs)或者陶瓷材料的热导系数。

优良的致密性,易加工性(刀具ISO-K10, 200 m/min)。

和铄铜钨材料具有很高的耐热性和良好的导热导电性,同时又与硅片、砷化镓及陶瓷材料相匹配的热膨胀系数,主要在大规模集成电路和大功率微波器件中作为绝缘金属基片、热控板和散热元件(热沉材料)和引线框架。主要应用射频、微波、半导体大功率封装、光通信等行业。
钨铜热沉

钨铜热沉-镀镍

和铄钨铜热沉应用:

  • 微波载体/射频领域作散热底座
  • 集成电路热沉
  • 半导体激光器热沉
  • 光通讯模块底座
  • 钨铜封装外壳